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半導體功率元件正朝著大電流、高電壓、快通斷、功耗小、易保護、模塊化方向發展直流高壓發生器，隨著半導體元件制造工藝的完善和制造技術的提高。中試控股集團現已出現了雙極性晶體管GP功率場效應管MOSFET功率絕緣柵控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優點于一體的復合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關損耗小、驅動電路簡單、要求驅動功率小、極限工作溫度高、易驅動的特點穩定運行直流高壓發生器的方法，又具有功率晶體管GP通態電壓低、耐壓高和電流容量大的優點，為電壓控制通斷的自關斷器件，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于數十kHz頻率范圍內，功率元件IGBT正日益廣泛地應用于體積小、噪音低、性能高的變頻電源及大功率的交流伺服電機的調速系統中直流高壓發生器，較高頻率的大、應用中占據了主導地位，并已開始在上述領域中取代功率雙極性晶體管GP和功率場效應管MOSFET中。與GP和MOSFET一樣，IGBT應用的關鍵問題是驅動電路和保護電路，本文根據在實際工作中對IGBT應用討論有關IGBT驅動及保護問題。

電力電子行業占據相當大的比重。目前介紹開關電源電磁兼容的文章很多，小功率反激電源作為市場上最為成熟的電源之一。不過考慮到市場化，小功率反激電源只用一級EMI濾波，無散熱片，還有很重要的一點，要考慮可生產性。這與單純的電磁兼容研究有很大區別。

一個是由封裝上表面傳到空氣中，集成電路的熱阻和晶體管的熱阻大至相同、集成電路(IC散熱主要有兩個方向。另一個則是由IC向下傳到PCB板上，再由板傳到空氣中。當IC以自然對流方式傳熱時，向上傳的部分很小直流高壓發生器，而向下傳到板子則占了大部分，以導線腳或是以球連接于板上的方式，其詳細的散熱模式不盡相同。但這會增加制造成本和復雜性。封裝熱阻的改善手段主要可透過結構設計、材料性質改變以及外加散熱增進裝置三種方式、其中影響較大的加裝散熱器。

直流高壓發生器貼片電感具有以下特點：

1、平底表面適合表面貼裝。

2、異的端面強度良好之焊錫性。低阻抗之特點。

3、具有較高Q值。低直電阻直流高壓發生器在低轉速下運行時，

4、低漏磁。耐大電流之特點。便于自動化裝配5、可提供編帶包裝。普通功率電感和大電流電感的區別：另外它還有以下特點大電流電感具備所有SMD功率電感的特點。

直流高壓發生器電感線圈使用粗痛線和扁平線繞制具有以下特點：

1、耐大電流。可耐大電流，較高可承受80A 電流具有很好的密封性和高穩定性。

2、高穩定性、大電流電感采用全封閉磁屏蔽結構。單片機直流高壓發生器。

3、適用范圍廣、大電流電感具有超強的耐侯性、可以用于電腦主板、顯卡等這些長時間工作的設備上。濾波電路等,而普通的功率電感只能用做DC-DC模塊、盡管所起到作用是一樣的但是大電流電感所承擔的責任比普通功率電感要大的多。中試控股集團具有超強的穩定性,目前許多電腦主板廠家都在開發使用大電流電感組列作成的濾波電路。