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高壓技術
四級承試試驗設備
時間：2021-08-04
四級承試試驗設備
電容式電流互感器介質損耗因數測量
電力系統中運行著大量220kV電容式電流互感器，從其結構可知，某～次繞組與、般油浸紙電容式套管相似，相當于由10個電容量基本相等的電容元件串聯而成．由于其制造時密封不良，運行中易進水受潮。
中試控股根據Q/CSG 10007-2004，要求測量一次對末電屏（一次繞組Li L2短路加壓，末電屏接介質損耗電橋Cx線，二次繞組短路與鐵芯等接地，即QSi型電橋正接線）或～次對末電屏，二次繞組（短路）及地（QS，型電橋反接線）的tgδ。現場試驗表明，按上述兩種接線測量tgδ時，對發現互感器進水受潮缺陷并不靈敏。
四級承試試驗設備測量時一次繞組Li與L。端子短接后接于Qsi型西林電橋屏蔽線E。這樣既可避免一次繞組對末電屏間絕緣電容量較大而介質損耗因數較小，被并聯側引起的測量值偏小，還可起到屏蔽外電場干擾作用。測量時按os,型電橋反接線，試驗電壓2kV。盡管試驗電壓較低，但由于被試部分電容量較大(約為1200N2500pF)，因此仍能滿足測量靈敏度與準確度的要求。
如能增加測量末電屏對二次繞組、鐵芯與外殼（地）的介質損耗因數tgδ，對發現進水受潮缺陷就比較有效。現場測量時，可分別測量末電屏對二次繞組、末電屏對鐵芯、來電屏對地等各部分的絕緣電阻與介質損耗因數。
字形結構電流互感器介質損耗因數測量
四級承試試驗設備具體測量方法既可按os，型電橋正接線測量一次對二次繞組的tgδ，也可按oS．型電橋反接線測量，由于運行中互感器外殼已妥善接地，因此一般使用osi型電橋的反接線進行測量（即一次短接電橋C。線，二次短接外殼或地）。曾用此法測得一臺llOkV電流互感器，其一次對二次及外殼的tgδ為2.1%（20℃時），符合試驗標準要求。但在進行真空干燥處理時，明顯地發現內部存有水珠。中試控股這就表明，按此方法測量介質損耗因數對發現互感器進水受潮尚不可靠。
目前，電力系統中運行著大量的35～110kV 8字形結構電流互感器。這種互感器運行中存在一個主要的問題是：由于頂部密封不良而進水受潮。因此正確測量電流互感器一次對二次及外殼的介質損耗因數對絕緣是否受潮或劣化非常重要。
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